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近来半导体设备领域最受关注的问题之一是台积电宣布不打算在其计划于2029年左右推出的A13节点上采用高数值孔径EUV光刻系统。此举引发了关于这一决定是否以及在多大程度上会影响ASML未来增长轨迹的讨论。
在此背景下，其影响不仅限于 ASML 的产品路线图，还将影响客户的采用策略和近期 EUV 需求前景。
高数值孔径极紫外光刻：成本过高，短期内难以普及？
即使对于预计 2026 年资本支出高达 5600 亿美元的代工巨头 ASML 而言，其高数值孔径 EUV 系统仍然被视为价格昂贵，每台设备的售价约为 4 亿美元——据路透社报道，这大约是当前一代 EUV 系统成本的两倍。随着台积电加速在美国、日本和其他海外地区的新晶圆厂扩大产能，这一问题变得更加突出。
在此背景下，台积电推迟采用高数值孔径极紫外光刻技术的决定，反映了其更广泛的战略，即扩展现有低数值孔径极紫外光刻设备的性能范围。台积电副首席运营官兼高级副总裁张凯文告诉路透社，公司在推进现有极紫外光刻技术的同时，也保持着积极的扩展路线图，其研发工作“卓有成效”。
为了配合这一战略，台积电在上周的北美技术研讨会上扩展了其1-2nm工艺路线图，推出了多个旨在提升效率而无需转向下一代光刻技术的节点变体。据Tom's Hardware报道，这些节点包括1.2nm和1.3nm级别的A12和A13，以及出人意料的N2系列扩展产品N2U，目标上市时间为2028年至2029年。
低数值孔径极紫外光刻扩展了尺寸缩放路径
台积电指出，A13 是通过对 A14 进行光学缩减而来，在保持完全设计规则和电气兼容性的前提下，芯片面积减少了约 6%，从而使客户能够以最小的重新设计工作量进行升级。正如《微电子》杂志所强调的，这也使得现有 IP 可以直接复用，表明这种渐进式缩减仍然可以通过低数值孔径 EUV 光刻结合多重曝光技术得到有效支持。
TechPowerUp解释说，低数值孔径（Low-NA）极紫外（EUV）多重曝光需要多次曝光才能形成单层，其中两次刻蚀可以有效地模拟高数值孔径（High-NA）曝光的部分优势。然而，该报告补充道，在接近1纳米及以下的先进节点上，这种技术将受到越来越多的限制，届时高数值孔径极紫外曝光预计将成为必需。
因此，低数值孔径（Low-NA）EUV光刻技术仍然能够满足台积电近期的发展规划。这家晶圆代工巨头——在3nm和2nm工艺强劲的需求支撑下——似乎并不急于采用高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术，而是选择密切关注同行厂商的转型进展。正如路透社此前报道，包括英特尔和SK海力士在内的ASML客户已经开始准备最早于2027年采用高数值孔径EUV系统，目标是用于下一代AI逻辑芯片和高带宽存储芯片。
ASML认为北美低端EUV需求强劲
值得注意的是，ASML与台积电的立场一致，认为低数值孔径（Low-NA）极紫外光刻（EUV）技术仍保持强劲增长势头。根据Investing.com的会议记录，ASML首席财务官Roger Dassen表示，公司目标是在2026年至少生产60套低数值孔径极紫外光刻系统，并计划在2027年将产量进一步扩大到80套左右。作为参考，《朝鲜日报》指出，ASML通常每年仅生产40-50套系统。
值得注意的是，尽管ASML并未披露高数值孔径EUV光刻机的出货目标或详细的营收构成，但仍提供了该领域的部分信息。根据公司发布的财报，ASML在2026年第一季度实现净系统销售额63亿欧元，其中EUV系统贡献超过41亿欧元，包括两款高数值孔径EUV光刻机的营收。
假设高数值孔径 (High-NA) 工具的外部基准约为 4 亿美元，这意味着 ASML 的大部分 EUV 收入仍然来自低数值孔径 (Low-NA) 系统。
与此同时，ASML 还强调了其低数值孔径 EUV 平台的长生命周期。该公司在财报电话会议上指出，其 1000 瓦光源的演示是一个关键里程碑，实现了长期可扩展性。ASML 表示，到 2031 年，低数值孔径 EUV 设备的性能预计将达到每小时 330 片晶圆——远高于目前的性能水平——这将巩固其在未来多年内作为 EUV 制造主力设备的地位。
超越极紫外光的新动力
据路透社3 月份的一篇报道，在下一代 EUV 需求存在不确定性的背景下，这家荷兰设备制造商也在寻求超越其光刻核心业务，目标是拓展到先进封装领域。
据《电子》杂志进一步报道，根据在一次行业会议上公布的专利分析，ASML公司被认为正在推进晶圆对晶圆（W2W）混合键合设备的研发。分析结果表明，该公司正在利用其核心的Twinscan光刻平台技术，探索W2W混合键合机的开发。
值得注意的是，业内人士预计三星和 SK 海力士最迟会在 HBM5 中采用混合键合技术，这可能会为 ASML 带来新的长期增长动力。
ASML最大的客户是谁？
台积电长期以来一直被视为ASML最大的客户。《联邦杂志》此前报道称，该公司占据了全球EUV光刻系统装机量的56%。《南华早报》 2024年的一篇报道援引AnandTech和The Register的数据进一步指出，台积电在全球EUV系统装机量中的份额将从2020年的50%增长到2023年的56%。
然而，这种主导地位正日益被置于历史的视角下审视。随着存储器制造商大幅增加资本支出以支持人工智能驱动的HBM周期，ASML顶级客户群的构成正在逐渐发生变化。
值得注意的是，ASML在韩国的需求已经大幅增长，该地区占其2026年第一季度销售额的45%，高于2025年第四季度的22%。据SeDaily报道，三星也通过大规模设备订单扩大其光刻产能，从ASML订购了约20套用于10纳米以下先进工艺节点的EUV系统。
与此同时，台积电在先进封装领域日益重要的地位凸显了其技术多元化程度的提升，不再局限于传统的晶圆代工服务。在此背景下，ASML的收入来源可能会逐渐转向更加多元化的客户群体。
台积电的渐进式微缩策略能否胜过同行们采取的更为激进的高数值孔径芯片采用策略，以及阿斯麦能否成功应对这一技术转型，仍然是半导体行业最受关注的动态之一。
https://www.trendforce.com/news/2026/05/01/news-behind-tsmcs-high-na-euv-deferral-low-na-stays-strong-customer-landscape-shifts-and-asml-quietly-pivots/
（来源：trendforce）
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